3W Diode Laser Chips

Wavelength: 940 nm ; High power conversion efficiency: >35%

Hringdu í okkur

DaH jaw

Lýsing

3W Diode Laser Chips

Vörulýsing

Grunnreglan í EEL 3W díóða leysiflögum (Edge-Emitting Laser) er ferlið við að mynda ljóseindir með örvaðri geislun. Uppbygging EEL leysir samanstendur aðallega af þremur hlutum: virkt svæði hálfleiðara, dælugjafa og sjónómunarhola. Virka svæðið er kjarnasvæði leysirframleiðslu. Dælugjafinn gefur orku til að örva rafeindirnar á virka svæðinu, á meðan sjónómunarholið er ábyrgt fyrir vali og mögnun ljóseinda og myndar að lokum leysigeisla

Þessir díóða leysirflögur hannaðir fyrir stutt-ToF forrit

• Bylgjulengd: 940 nm

• High power conversion efficiency: >35%

• Hámarksafl: 3 W